美国制裁已成笑话合肥让中国存储芯片不再“卡脖子”

  

  合肥长鑫存储（CXMT）是中国DRAM（动态随机存取存储器）领域的有突出贡献的公司，也是全球少数具备自主知识产权DRAM量产能力的厂商之一。作为合肥集成电路产业的核心支柱，长鑫存储对打破国外技术垄断、保障中国半导体供应链安全具备极其重大意义。

  长鑫存储基于自主研发的19nm工艺（第一代）量产DDR4/LPDDR4X内存芯片，2023年推进17nm工艺（第二代）试产，2024年已实现量产，技术接近国际主流水平（三星、美光等已量产10-15nm DRAM）。

  通过购买奇梦达（Qimonda）破产后的专利包，结合自主创新，构建了超过1万项DRAM相关专利，规避了知识产权风险和与美光等巨头的专利冲突。2023年，其自主研发的LPDDR5芯片实现量产，并在小米、传音等手机品牌完成验证，成为国内首家推出LPDDR5产品的企业。此外，长鑫在10纳米级工艺上逐步缩小与国际巨头的技术差距，并规划DDR5、HBM及更高代际产品。

  长鑫与兆易创新形成“设计+代工”的深度合作模式：兆易创新负责利基型DRAM设计，长鑫提供代工产能，2024年双方交易额已超1.8亿元。

  与中微半导体（刻蚀机）、北方华创（薄膜沉积设备）等国产设备商合作，推动设备国产化率从不足10%提升至约30%。

  联合合肥晶合集成（晶圆代工）、通富微电（封装测试）形成本地化DRAM产业链闭环。

  长鑫是国内唯一实现DRAM芯片全流程自主化的企业，其DDR4、LPDDR5等产品填补了国内空白，直接挑战三星、SK海力士、美光等国际巨头的垄断地位。2020年国产内存条上市后，国际厂商迅速降价，印证了其市场冲击力。

  长鑫存储已积累数千项专利，研发团队规模和技术水平跻身全球前列。其技术路线研发）为国内半导体行业提供了可复制的经验，同时培养了大量高端技术人才，缓解了行业人才短缺问题。

  DRAM芯片是电子设备的“信息高速公路”，长期依赖进口威胁国家安全。长鑫的量产使中国在存储芯片领域实现自主可控，降低了对地理政治学风险的敏感性。

  合肥一期工厂月产能约12万片（12英寸晶圆），二期项目（2024年启动）规划月产能再增10万片，总产能将跻身全球前五，仅次于三星、SK海力士、美光。

  2023年全球DRAM市场占有率约3%-4%，主要供应中低端消费电子市场（如手机、物联网设备）。

  客户包括联想、小米、OPPO等国内厂商，并向华为、中科曙光等企业供应服务器内存模组。

  与兆易创新合作开发国产DRAM模组（如光威弈Pro系列），加速国产替代。

  直接投资超1500亿元，带动合肥集成电路产业规模2023年突破500亿元，占全国比重超6%。

  创造就业岗位超1万个，吸引半导体设备、材料等领域配套企业超50家落户合肥。

  与中科大微电子学院、合肥工业大学共建人才教育培训基地，年输送专业人才超2000人。

  推动合肥成为国家“存储芯片创新中心”，联合科研机构攻关EUV光刻、3D堆叠等下一代技术。

  合肥市政府通过地方国资平台（如合肥产投、合肥建投）牵头，联合国家大基金、社会资本，为长鑫项目提供了超2000亿元的持续资金支持。例如：2016年：合肥国资出资75%，与兆易创新合资成立长鑫存储，初期投资即超500亿元，总投资超2000亿元，成为安徽省单体投资最大的工业项目。2020-2024年：连续多轮融资，其中2024年单轮融资108亿元，投后估值达1400亿元，创国内半导体行业年度纪录。 合肥的“以投带引”模式（先投资、后招商）打破传统招商思维，通过资本杠杆撬动产业落地。

  DRAM行业具有技术密集、周期性强、前期亏损的特点，国际巨头（如三星、美光）常年以价格战压制新兴企业。合肥政府以“十年不退出”的决心，容忍长鑫早期亏损，为其研发技术和产能爬坡争取时间窗口。

  上游：引入广钢气体（电子特气）、上海新阳（光刻胶）、至纯科技（清理洗涤设施）等企业，推动国产设备和材料的验证与替代。

  下游：联合兆易创新（存储芯片设计）、联宝科技（电子科技类产品制造）等企业，形成终端需求拉动。

  2023年，合肥半导体产业规模突破800亿元，成为全国少数具备完整存储芯片产业链的城市。

  合肥设立安徽省新一代信息技术产业基金（规模300亿元），重点投资半导体设备和材料企业，同时规划合肥集成电路产业园，吸引超200家上下游企业入驻。例如，北方华创在合肥建设薄膜设备生产基地，就近服务长鑫。

  土地与基建：合肥经开区为长鑫项目划拨超2000亩工业用地，配套建设专用变电站、超纯水厂等基础设施。

  税收与补贴：前5年减免企业所得税地方留存部分，研发费用加计扣除比例提升至200%（高于全国标准）。

  全球引才：通过“合肥人才计划”为长鑫团队提供最高1000万元安家补贴，吸引海内外半导体专家（如原三星、台积电技术骨干）。

  本地培养：联合中科大、合肥工业大学设立“集成电路学院”，定向输送工程师，长鑫员工中本地高校毕业生占比超30%。

  合肥政府早在2010年便布局“芯屏汽合”（芯片、显示面板、新能源汽车、人工智能）战略，长鑫项目是这一战略的核心环节。政府对DRAM行业“卡脖子”痛点的准确判断，避免了盲目跟风投资。

  长鑫项目从谈判到签约仅用3个月，政府成立专班“一事一议”，快速解决企业注册、环评、融资等问题。例如，合肥产投在项目初期即协调国开行提供200亿元低息贷款，缩短建设周期。

  国际巨头（三星、SK海力士）已量产10nm级DRAM，并在HBM（高带宽内存）领域领先。长鑫需加速17nm以下工艺研发，缩小代际差距。

  全球存储芯片市场周期性明显（2023年价格下降约40%），需平衡产能扩张与市场风险。当年三星就是举全国之力，逆周期扩张，成为了芯片领域的霸主。

  短期目标（2025年前）：完成17nm DRAM量产，月产能提升至20万片，市场占有率突破5%。

  长期战略：布局HBM、CXL（计算快速链路）等高性能内存技术，切入AI服务器、无人驾驶等高的附加价值市场。

  政策支持：依托安徽省“芯屏器合”战略，合肥计划投入200亿元专项资金支持存储芯片研发。

  长鑫存储是中国半导体国产化的标志性企业，其技术突破使中国成为全世界第四个拥有DRAM自主量产能力的国家（前三个为韩国、美国、日本）。尽管面临技术壁垒和供应链风险，但其产能扩张与本地化生态建设已为合肥奠定“中国存储之都”的地位。长鑫科技的成功是中国“制”与市场化运作结合的典范，其意义远超企业个体，标志着中国在高端半导体领域从“跟跑”转向“并跑”。若能在先进制程和高端市场持续突破，长鑫有望重塑全球DRAM产业格局。

  美国卡脖子不能了，中国速度，速度的力量，越封锁，中国人越加快速度进行发展，现在卡已经晚了

  美国总统特朗普17日抨击美国联邦储备委员会主席杰罗姆·鲍威尔“玩弄政治”，称可立即让鲍威尔走人。鲍威尔此前曾表示，依据美国法律，特朗普无权解职自己。特朗普17日在社会化媒体平台“真实社交”上说，鲍威尔早该像欧洲中央银行那样降息了，他总是“又迟又错”，“越早走人越好”。

  日前，山西省大同市中级人民法院审理席某某上诉案及所涉婚约财产纠纷上诉案的审判长接受记者正常采访：本案系不公开审理的案件，一审宣判后，鉴于网上存在大量不实信息，法院在法律规定范围内最大限度回应社会关切，澄清事实。

  18日晚些时候，胡塞武装发表声明称，该组织当天向以色列在特拉维夫的军事目标以及位于红海和阿拉伯的美国航母编队发动了袭击。从17日晚到18日凌晨，美军对也门西部荷台达省的伊萨角港发动多次空袭。截至目前，已造成80人死亡，另有上百人受伤。

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  玩具业是美国遭受关税冲击最严重的行业之一。美国有线电视新闻网（CNN）指出，对中国生产的玩具加征高额关税，意味着曾经物美价廉的玩具将变成“奢侈品”。美国商务部多个方面数据显示，2024年美国进口了价值177亿美元的玩具，其中75%来自中国。

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  近日，世贸组织总干事恩戈齐·奥孔乔-伊维拉被问到有关美国和世贸组织关系的问题时，笑谈这是一个“五年来一次”的问题。记者：“（美国）共和党众议员提出动议，要求特朗普政府让美国退出世贸组织，美国现在还在“船上”吗？如果美国退出，世贸组织如何继续运作？

  感觉特朗普又要变卦了。在关税政策上，我们至少已经看到了两大变。第一变，4月2日推出所谓“对等关税”，随后股市暴跌，汇市动荡，几天后，特朗普不得不宣布，暂停关税90天。第二变，中国的强硬反制，美国很生气，以中国不屈服为由，关税提高到145%。

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